Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価 (シリコン材料・デバイス)

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Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
11200033
資料種別
記事
著者
大野 真也ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2011-07-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(114) 2011.7.4
掲載ページ
p.23~27
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
大野 真也
井上 慧
森本 真弘 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Characterization of initial oxidation process on high-index silicon surfaces by real-time photoemission spectroscopy
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
111(114) 2011.7.4
掲載巻
111
掲載号
114