20nm MOSFETにおけるソース・ドレイン抵抗の電気特性パラメータへの影響 (特集 電気関係学会関西連合大会)
デジタルデータあり（Japan Link Center）
すぐに読む
CiNii Research
全国の図書館の所蔵
国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。
所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください
書誌情報
この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。
- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 尹 鍾鐵中出 育成廣木 彰 他
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Effects of source and drain resistances on analytical model parameters for 20nm MOSFETs
- タイトル（掲載誌）
- 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 131(11) 2011.11
- 掲載巻
- 131
- 掲載号
- 11