重イオン照射によるGaAs中の欠陥生成過程

掲載誌名: 明治大学科学技術研究所紀要 = Memoirs of the Institute of Science and Technology, Meiji University 21(3) 1982

資料詳細

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

CiNii Research
検索サービス
紙
連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
この本の所蔵を確認

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

資料種別: 記事
タイトル: 重イオン照射によるGaAs中の欠陥生成過程
著者・編者: 植草新一郎
著者標目: 植草新一郎
タイトル（掲載誌）: 明治大学科学技術研究所紀要 = Memoirs of the Institute of Science and Technology, Meiji University
巻号年月日等（掲載誌）: 21(3) 1982
掲載巻: 21
掲載号: 3
掲載ページ: p1～10
掲載年月日（W3CDTF）: 1982
ISSN（掲載誌）: 0386-4944
ISSN-L（掲載誌）: 0386-4944
出版事項（掲載誌）: 川崎 : 明治大学科学技術研究所
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZM2
対象利用者: 一般
記事種別、記事分類: 記事分類: 電気工学--電子工学--電子部品--固体素子
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z14-426
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 3117685
http://id.ndl.go.jp/bib/3117685
整理区分コード: 632