a-Si:H/a-SiO:H界面に形成される水素に対するポテンシャル障壁の高さ測定

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a-Si:H/a-SiO:H界面に形成される水素に対するポテンシャル障壁の高さ測定

国立国会図書館請求記号
Z16-1852
国立国会図書館書誌ID
3756380
資料種別
記事
著者
村山 勇樹ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ
出版年
1992-02
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 75(2) 1992.02
掲載ページ
p.p130~132
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資料詳細

要約等:

記事分類: 電気工学--電気材料・部品(提供元: CiNii Research)

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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
村山 勇樹
本橋 光也
本間 和明
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
75(2) 1992.02
掲載巻
75
掲載号
2
掲載ページ
p130~132
掲載年月日(W3CDTF)
1992-02