半導体化合物のバルク...

半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響

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半導体化合物のバルク物性への熱振動の影響

国立国会図書館請求記号
Z15-4
国立国会図書館書誌ID
3766805
資料種別
記事
著者
加賀屋 弘子ほか
出版者
京都 : 物性研究刊行会
出版年
1992-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
物性研究 58(1) 1992.04
掲載ページ
p.p1~7
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資料詳細

要約等:

正四面体的配置をとる13種の半導体化合物即ちAlP,AlAs,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe及びCdTeのHelmholtz自由エネルギー及び熱的圧力への格子振動の寄与が,固体電子論から我々の提案した結合力に基づく動力学的取扱いにより研究...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
加賀屋 弘子
相馬 俊信
小徳 弘明
タイトル(掲載誌)
物性研究
巻号年月日等(掲載誌)
58(1) 1992.04
掲載巻
58
掲載号
1
掲載ページ
p1~7
掲載年月日(W3CDTF)
1992-04