中性子放射化分析法によるシリコンウェハー表面の銅の定量

• 資料種別: 記事
• タイトル: 中性子放射化分析法によるシリコンウェハー表面の銅の定量
• 著者・編者: 米沢 洋樹; 鹿野 弘二; 重松 俊男
• 著者標目: 米沢 洋樹; 鹿野 弘二; 重松 俊男
• タイトル（掲載誌）: 分析化学 / 日本分析化学会 編
• 巻号年月日等（掲載誌）: 42(4) 1993.04
• 掲載巻: 42
• 掲載号: 4
• 掲載ページ: p229～233
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1993-04
• ISSN（掲載誌）: 0525-1931
• ISSN-L（掲載誌）: 0525-1931
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本分析化学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZP4
• 対象利用者: 一般
• 記事種別、記事分類: 記事分類: 電気工学--電気材料・部品
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z17-9
• 関連情報（URI）: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10893064
• 関連情報（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10893064; http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10893064
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 3823564; http://id.ndl.go.jp/bib/3823564
• 整理区分コード: 632

• 要約等: 中性子放射化分析によるシリコンウェハー表面の極微量の銅の定量法について検討した.原子炉照射に伴う汚染を防ぐため,種々の高分子フィルムの純度,及び,フィルムからの汚染量を定量的に評価した.その結果,高密度ポリエチレンを包装材として用いることにより,銅の汚染を10<SUP>10</SUP> atoms ...