本文へ移動

Theoretical Study of Silicon Adatom Transfer from the Silicon Surface in Scanning Tunneling Microscopy (The 4th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy)

記事を表すアイコン

Theoretical Study of Silicon Adatom Transfer from the Silicon Surface in Scanning Tunneling Microscopy(The 4th International Colloquium on Scanning Tunneling Microscopy)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
4260158
資料種別
記事
著者
Nobuhiko Kobayashiほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
1997-06
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 36(6B) 1997.06
掲載ページ
p.3791~3795
詳細を見る

資料詳細

要約等:

We have investigated the electronic structures of a silicon adatom displaced from a silicon surface with the tip of a scanning tunneling microscope us...

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Nobuhiko Kobayashi
Kenji Hirose
Masaru Tsukada
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
36(6B) 1997.06
掲載巻
36
掲載号
6B
掲載ページ
3791~3795
掲載年月日(W3CDTF)
1997-06
ISSN(掲載誌)
0021-4922
ISSN-L(掲載誌)
0021-4922
出版事項(掲載誌)
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
eng
NDLC
対象利用者
一般
コレクション(共通)
コレクション(障害者向け資料:レベル1)
コレクション(障害者向け資料:レベル2)
コレクション(個別)
国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
オンライン閲覧公開範囲
国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信
図書館・個人送信対象外
遠隔複写可否(NDL)
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z53-A375
掲載誌(国立国会図書館永続的識別子)
info:ndljp/pid/11226557
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
書誌ID(NDLBibID)
4260158
整理区分コード
632

デジタル

要約等
We have investigated the electronic structures of a silicon adatom displaced from a silicon surface with the tip of a scanning tunneling microscope using the recursion-transfer-matrix method. This method is an effective means of calculation for electronic states of a bielectrode system under electric field and current. The adiabatic potential surfaces of the adatom moving from the surface to the tip and the corresponding induced electron density distributions are presented for several values of bias voltage. A decrease in the activation barrier height is seen for both positive and negative bias cases when the tip-surface distance is 11 bohrs, while a monotonous decrease is seen only for the positive bias case at a tip-surface distance of 8 bohrs.
参照
Theory of quantum conductance of aromatic and molecular bridges
Spin-Dependent Surface Characteristics of an Absorbed Hydrogen Atom under a Scanning Tunneling Microscope Environment–Atom Manipulation by Magnetic Field
参照
Self-consistent pseudopotential calculations for Si (111) surfaces: Unreconstructed (1×1) and reconstructed (2×1) model structures
First-principles calculation of the electronic structure for a bielectrode junction system under strong field and current
Structure analysis of Si(111)-7 × 7 reconstructed surface by transmission electron diffraction
Site-specific measurement of adatom binding energy differences by atom extraction with the STM
First-principles study of Na atom transfer induced by the tip of a STM
Field-Induced Nanometer- to Atomic-Scale Manipulation of Silicon Surfaces with the STM
Confinement of Electrons to Quantum Corrals on a Metal Surface
Field-induced transfer of an atom between two closely spaced electrodes
Electronic structure of the Al-GaAs(110) surface chemisorption system
Positioning single atoms with a scanning tunnelling microscope
Surface modification of MoS2 using an STM
Ground State of the Electron Gas by a Stochastic Method
Iterative minimization techniques for<i>ab initio</i>total-energy calculations: molecular dynamics and conjugate gradients
Surface Studies by Scanning Tunneling Microscopy
Self-interaction correction to density-functional approximations for many-electron systems
連携機関・データベース
国立情報学研究所 : CiNii Research
提供元機関・データベース
Japan Link Center
雑誌記事索引データベース
Crossref
CiNii Articles
CiNii Articles
Crossref
Crossref
書誌ID(NDLBibID)
4260158
NII論文ID
210000041304
110003947057