Radiation Dosimeters for High Dose by Commercial PMOS Transistors Using Normalized Drain Current as Dosimetric Parameter

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CiNii Research

Radiation Dosimeters for High Dose by Commercial PMOS Transistors Using Normalized Drain Current as Dosimetric Parameter

掲載誌名: Journal of nuclear science and technology = 日本原子力学会英文論文誌 34(10) 1997.10

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資料種別: 記事
タイトル: Radiation Dosimeters for High Dose by Commercial PMOS Transistors Using Normalized Drain Current as Dosimetric Parameter
著者・編者: Kuei-Shu Chang-Liao
Tai-Liang Wu
著者標目: Kuei-Shu Chang-Liao
Tai-Liang Wu
タイトル（掲載誌）: Journal of nuclear science and technology = 日本原子力学会英文論文誌
巻号年月日等（掲載誌）: 34(10) 1997.10
掲載巻: 34
掲載号: 10
掲載ページ: 992～995
掲載年月日（W3CDTF）: 1997-10
ISSN（掲載誌）: 0022-3131
ISSN-L（掲載誌）: 0022-3131
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Atomic Energy Society of Japan
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A460
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 4326333
http://id.ndl.go.jp/bib/4326333
整理区分コード: 632