炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム

(ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

掲載誌名: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会編 81(1) 1998.01

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資料種別: 記事
タイトル: 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム
著者・編者: 吉川正人
大島武
伊藤久義他
シリーズタイトル: ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集
著者標目: 吉川正人
大島武
伊藤久義
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会編
巻号年月日等（掲載誌）: 81(1) 1998.01
掲載巻: 81
掲載号: 1
掲載ページ: 140～150
掲載年月日（W3CDTF）: 1998-01
ISSN（掲載誌）: 0915-1907
ISSN-L（掲載誌）: 0915-1907
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-1852
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 4392169
http://id.ndl.go.jp/bib/4392169
整理区分コード: 632