雑誌レーザー研究 : レーザー学会誌
巻号26(1)-26(6) 19980100-19980600
記事超先端電子技術開発機...

超先端電子技術開発機構におけるレーザー計測法によるエッチングプラズマ中の解離化学種解析 (レーザーおよび放射光の半導体プロセス分野への応用特集号)

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超先端電子技術開発機構におけるレーザー計測法によるエッチングプラズマ中の解離化学種解析

(レーザーおよび放射光の半導体プロセス分野への応用特集号)

国立国会図書館請求記号
Z16-1040
国立国会図書館書誌ID
4511844
資料種別
記事
著者
板橋 直志ほか
出版者
吹田 : レーザー学会
出版年
1998-06
資料形態
紙
掲載誌名
レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌 / レーザー学会 編 26(6) 1998.06
掲載ページ
p.426～432
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紙

資料種別
記事
タイトル
超先端電子技術開発機構におけるレーザー計測法によるエッチングプラズマ中の解離化学種解析
著者・編者
板橋 直志
林 久貴
辰巳 哲也 他
シリーズタイトル
レーザーおよび放射光の半導体プロセス分野への応用特集号
著者標目
板橋 直志
林 久貴
辰巳 哲也
タイトル（掲載誌）
レーザー研究 = The review of laser engineering : レーザー学会誌 / レーザー学会 編
巻号年月日等（掲載誌）
26(6) 1998.06
掲載巻
26
掲載号
6
掲載ページ
426～432