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Naフラックスを用いたGaN単結晶の育成 (特集:バルク窒化物半導体)

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Naフラックスを用いたGaN単結晶の育成(特集:バルク窒化物半導体)

国立国会図書館請求記号
Z15-339
国立国会図書館書誌ID
4571870
資料種別
記事
著者
山根 久典ほか
出版者
大阪 : 日本結晶成長学会
出版年
1998-09
資料形態
掲載誌名
日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 25(4) 1998.09
掲載ページ
p.152~156
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
山根 久典
島田 昌彦
シリーズタイトル
タイトル(掲載誌)
日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
巻号年月日等(掲載誌)
25(4) 1998.09
掲載巻
25
掲載号
4
掲載ページ
152~156