Control of Orientation for Polycrystalline Silicon Thin Films Fabricated from Fluorinated Source Gas by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

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CiNii Research

Control of Orientation for Polycrystalline Silicon Thin Films Fabricated from Fluorinated Source Gas by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

国立国会図書館請求記号: Z54-J337
国立国会図書館書誌ID: 4573157

資料種別: 記事

著者: Kouichi Nakahataほか

出版者: Tokyo : Japan Society of Applied Physics

出版年: 1998-09

資料形態: 紙

掲載誌名: Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 37(9A/B) 1998.09

掲載ページ: p.L1026～1029

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紙デジタル

資料種別: 記事
タイトル: Control of Orientation for Polycrystalline Silicon Thin Films Fabricated from Fluorinated Source Gas by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
著者・編者: Kouichi Nakahata
Atsushi Miida
Toshio Kamiya 他
著者標目: Kouichi Nakahata
Atsushi Miida
Toshio Kamiya
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters
巻号年月日等（掲載誌）: 37(9A/B) 1998.09
掲載巻: 37
掲載号: 9A/B
掲載ページ: L1026～1029
掲載年月日（W3CDTF）: 1998-09
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z54-J337
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 4573157
http://id.ndl.go.jp/bib/4573157
整理区分コード: 632

Control of Orientation for Polycrystalline Silicon Thin Films Fabricated from Fluorinated Source Gas by Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

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