Bias Voltage Dependence of Tunneling Magnetoresistance and Annealing Effect in Spin Dependent Tunnel Junctions

• 資料種別: 記事
• タイトル: Bias Voltage Dependence of Tunneling Magnetoresistance and Annealing Effect in Spin Dependent Tunnel Junctions
• 著者・編者: J.J. Sun; R.C. Sousa; T.T.P. Galvao 他
• 著者標目: J.J. Sun; R.C. Sousa; T.T.P. Galvao
• タイトル（掲載誌）: 日本応用磁気学会誌
• 巻号年月日等（掲載誌）: 23(1-2) (通号 128) 1999.01
• 掲載巻: 23
• 掲載号: 1-2
• 掲載通号: 128
• 掲載ページ: 55～57
• 掲載年月日（W3CDTF）: 1999-01
• ISSN（掲載誌）: 0285-0192
• ISSN-L（掲載誌）: 0285-0192
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本磁気学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• NDLC: ZM35
• 対象利用者: 一般
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z15-398
• 関連情報（URI）: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10464185
• 関連情報（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/10464185; http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/10464185
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 4639970; http://id.ndl.go.jp/bib/4639970
• 整理区分コード: 632

• 要約等: Junctions with Al₂O₃ and AIN barriers were fabricated through contact shadow masks (0.25mm²-size) and by a self-align...