固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性

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固相結晶成長法により作製されたlateral Power MOS FETの温度特性のデバイスパラメータ依存性

国立国会図書館請求記号
Z16-1852
国立国会図書館書誌ID
4780661
資料種別
記事
著者
樹神 雅人ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ
出版年
1999-06
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 82(6) (通号 126) 1999.06
掲載ページ
p.308~313
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
樹神 雅人
杉山 隆英
上杉 勉
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
82(6) (通号 126) 1999.06
掲載巻
82
掲載号
6
掲載通号
126
掲載ページ
308~313