GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性

記事を表すアイコン

GaN系ヘテロ構造の電気伝導特性およびFET静特性

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
4910003
資料種別
記事
著者
前田 就彦ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
1999-10-22
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 99 (通号 377) 1999.10.22
掲載ページ
p.67~74
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
前田 就彦
斉藤 正
椿 光太郎 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
99 (通号 377) 1999.10.22
掲載巻
99
掲載通号
377
掲載ページ
67~74
掲載年月日(W3CDTF)
1999-10-22