巻号67(12)
Crystallin...

Crystallinity of p-Type Porous Silicon and Its Change with Heat-Treatment (Electrochemistry of Ordered Interfaces)

記事を表すアイコン

Crystallinity of p-Type Porous Silicon and Its Change with Heat-Treatment(Electrochemistry of Ordered Interfaces)

国立国会図書館請求記号
Z17-14
国立国会図書館書誌ID
4927629
資料種別
記事
著者
尾形 幸生ほか
出版者
東京 : 電気化学協会
出版年
1999-12
資料形態
デジタル
掲載誌名
電気化学および工業物理化学 = Denki kagaku 67(12) 1999.12
掲載ページ
p.1203~1205
すべて見る

資料詳細

要約等:

<p>The crystallinity of p-type porous silicon has been investigated with X-ray diffraction (XRD), thermal analysis, and transmission electron microsco...

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    デジタル
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
尾形 幸生
保田 亮
坪井 隆志 他
並列タイトル等
p型多孔質シリコンの結晶性と熱処理による変化
タイトル(掲載誌)
電気化学および工業物理化学 = Denki kagaku
巻号年月日等(掲載誌)
67(12) 1999.12
掲載巻
67
掲載号
12