極性制御で分子線エピ...

極性制御で分子線エピタキシー成長GaN膜に劇的な特性改善

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極性制御で分子線エピタキシー成長GaN膜に劇的な特性改善

国立国会図書館請求記号
Z16-223
国立国会図書館書誌ID
5318831
資料種別
記事
著者
工業技術院電子技術総合研究所材料科学部ワイドギャップ半導体ラボ
出版者
つくば : 工業技術院電子技術総合研究所
出版年
2000-03
資料形態
デジタル
掲載誌名
電総研ニュース = ETL news / 工業技術院電子技術総合研究所 編 (通号 602) 2000.03
掲載ページ
p.2~6
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
工業技術院電子技術総合研究所材料科学部ワイドギャップ半導体ラボ
タイトル(掲載誌)
電総研ニュース = ETL news / 工業技術院電子技術総合研究所 編
巻号年月日等(掲載誌)
(通号 602) 2000.03
掲載通号
602
掲載ページ
2~6
掲載年月日(W3CDTF)
2000-03
ISSN(掲載誌)
0011-846X