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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 39(4B)(518);APRIL 2000
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Characteristics of Dual Polymetal(W/WNx/Poly-Si)Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor for 0.1μm Dynamic Random Access Memory Technology

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Characteristics of Dual Polymetal(W/WNx/Poly-Si)Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor for 0.1μm Dynamic Random Access Memory Technology

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
5384336
資料種別
記事
著者
Yong-Hae Kimほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2000-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 39(4B) (通号 518) 2000.04
掲載ページ
p.1969～1973
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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Characteristics of Dual Polymetal(W/WNx/Poly-Si)Gate Complementary Metal Oxide Semiconductor for 0.1μm Dynamic Random Access Memory Technology
著者・編者
Yong-Hae Kim
Sung-Keun Chang
Seon-Soon Kim 他
著者標目
Yong-Hae Kim
Sung-Keun Chang
Seon-Soon Kim
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
39(4B) (通号 518) 2000.04
掲載巻
39
掲載号
4B
掲載通号
518
掲載ページ
1969～1973