Electronic and Crystallographic Properties of Polycrystalline Silicon Films and Its Fabrication Technologies

• 資料種別: 記事
• タイトル: Electronic and Crystallographic Properties of Polycrystalline Silicon Films and Its Fabrication Technologies
• 著者・編者: 鮫島 俊之
• 著者標目: 鮫島 俊之
• 並列タイトル等: 高品質多結晶シリコン薄膜の形成技術とその電気的特性
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 100 (通号 2) 2000.04.14
• 掲載巻: 100
• 掲載通号: 2
• 掲載ページ: 1～7
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2000-04-14
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: 粒界; 局在欠陥準位; 電気伝導率; キャリア移動度; 溶融-再固化; grain boundary; localized defect state; electrical conductivity; carrier mobility; melt-regrowth
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2000-10
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5392034; http://id.ndl.go.jp/bib/5392034
• 整理区分コード: 632