ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル--転位論に基づいて

• 資料種別: 記事
• タイトル: ELA法により形成したpoly-Si薄膜の回復・再結晶を考慮した成長モデル--転位論に基づいて
• 著者・編者: 松尾 直人; 浜田 弘喜
• 著者標目: 松尾 直人; 浜田 弘喜
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 100 (通号 2) 2000.04.14
• 掲載巻: 100
• 掲載通号: 2
• 掲載ページ: 21～26
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2000-04-14
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: ELA poly-Si; 回復過程; 再結晶過程; dislocation theory; recovery; recrystallization
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2000-13
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5392099; http://id.ndl.go.jp/bib/5392099
• 整理区分コード: 632