Boosted Gate MOS(BGMOS):デバイスと回路の協調によるリークフリー回路の提案

• 資料種別: 記事
• タイトル: Boosted Gate MOS(BGMOS):デバイスと回路の協調によるリークフリー回路の提案
• 著者・編者: 犬飼 貴士; 高宮 真; 野瀬 浩一 他
• シリーズタイトル: 特集:VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力)--デバイス・プロセス・RF関係
• 著者標目: 犬飼 貴士; 高宮 真; 野瀬 浩一
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 100(268) 2000.8.25
• 掲載巻: 100
• 掲載号: 268
• 掲載ページ: 1～8
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2000-08-25
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: スタンバイ消費電力; デバイスと回路の協調技術; エリアペナルティ; stand-by power; device/circuit cooperation scheme; area penalty
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2000-106
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5482477; http://id.ndl.go.jp/bib/5482477
• 整理区分コード: 632