InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗

• 資料種別: 記事
• タイトル: InP(311)A段差基板上へ成長したトレンチ型InGaAs量子細線FETの負性抵抗
• 著者・編者: 松本 和幸; 菅谷 武芳; 張 起連 他
• 著者標目: 松本 和幸; 菅谷 武芳; 張 起連
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 100(370) 2000.10.20
• 掲載巻: 100
• 掲載号: 370
• 掲載ページ: 19～24
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2000-10-20
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 分子線エピタキシー法; MBE法; 原子状水素照射; molecular beam epitaxy; MBE; Trench-Type InGaAs quantum wire; atomic hydrogen irradiation; negative differential resistance; NDR
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2000-172
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5568740; http://id.ndl.go.jp/bib/5568740
• 整理区分コード: 632