イオン注入法によって...

イオン注入法によって作製したβ-FeSi2:光起電力特性と準安定γ相 (〈特集〉環境半導体)

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イオン注入法によって作製したβ-FeSi2:光起電力特性と準安定γ相(〈特集〉環境半導体)

国立国会図書館請求記号
Z14-778
国立国会図書館書誌ID
5604065
資料種別
記事
著者
前田 佳均ほか
出版者
東京 : 日本材料科学会 ; 1964-2001
出版年
2000
資料形態
デジタル
掲載誌名
材料科学 : 日本材料科学会誌 37(1) (通号 205) 2000
掲載ページ
p.7~10
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
前田 佳均
三宅 潔
大橋 健也
シリーズタイトル
タイトル(掲載誌)
材料科学 : 日本材料科学会誌
巻号年月日等(掲載誌)
37(1) (通号 205) 2000
掲載巻
37
掲載号
1
掲載通号
205