Mechanism of Potential Profile Formation in Silicon Single-Electron Transistors Fabricated Using Pattern-Dependent Oxidation

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Mechanism of Potential Profile Formation in Silicon Single-Electron Transistors Fabricated Using Pattern-Dependent Oxidation

掲載誌名: Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 40(1A・B) (通号 337) 2001.1

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資料種別: 記事
タイトル: Mechanism of Potential Profile Formation in Silicon Single-Electron Transistors Fabricated Using Pattern-Dependent Oxidation
著者・編者: Seiji Horiguchi
Masao Nagase
Kenji Shiraishi 他
著者標目: Seiji Horiguchi
Masao Nagase
Kenji Shiraishi
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters
巻号年月日等（掲載誌）: 40(1A・B) (通号 337) 2001.1
掲載巻: 40
掲載号: 1A・B
掲載通号: 337
掲載ページ: L29～32
掲載年月日（W3CDTF）: 2001-01
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: silicon single-electron transistor
stress effect
strain effect
first-principles calculation
atomic force microscope
effective potential
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z54-J337
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 5650722
http://id.ndl.go.jp/bib/5650722
整理区分コード: 632