InAlAs/InGaAS HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析--衝突イオン化モデルによる現象の説明

• 資料種別: 記事
• タイトル: InAlAs/InGaAS HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析--衝突イオン化モデルによる現象の説明
• 著者・編者: 小杉 敏彦; 末光 哲也; 榎木 孝知 他
• 著者標目: 小杉 敏彦; 末光 哲也; 榎木 孝知
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 100(547) 2001.1.17
• 掲載巻: 100
• 掲載号: 547
• 掲載ページ: 15～19
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2001-01-17
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: HFET; マーク率; Frequency Dispersion; Drain Conductance; Impact Ionization; Mark Ratio
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2000-221
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5673554; http://id.ndl.go.jp/bib/5673554
• 整理区分コード: 632