超高温・超高速熱アニ...

超高温・超高速熱アニール処理による4H-SiCへの低抵抗n〔+〕型イオン注入層形成--世界最小のシート抵抗値を達成

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超高温・超高速熱アニール処理による4H-SiCへの低抵抗n〔+〕型イオン注入層形成--世界最小のシート抵抗値を達成

国立国会図書館請求記号
Z16-223
国立国会図書館書誌ID
5694571
資料種別
記事
著者
工業技術院電子技術総合研究所先進パワーデバイス研究室ほか
出版者
つくば : 工業技術院電子技術総合研究所
出版年
2001-02
資料形態
デジタル
掲載誌名
電総研ニュース = ETL news / 工業技術院電子技術総合研究所 編 613 2001.2
掲載ページ
p.2~7
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
工業技術院電子技術総合研究所先進パワーデバイス研究室
工業技術院電子技術総合研究所材料科学部ハードエレクトロニクスラボ
タイトル(掲載誌)
電総研ニュース = ETL news / 工業技術院電子技術総合研究所 編
巻号年月日等(掲載誌)
613 2001.2
掲載巻
613
掲載ページ
2~7
掲載年月日(W3CDTF)
2001-02
ISSN(掲載誌)
0011-846X