A Highly-Efficient Tungsten-Polycide Gate Radio-Frequency Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Using Bonded Silicon-on-Insulator Technology

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A Highly-Efficient Tungsten-Polycide Gate Radio-Frequency Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Using Bonded Silicon-on-Insulator Technology

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
5714435
資料種別
記事
著者
Satoshi Matsumotoほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2001-03
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 40(3A) (通号 535) 2001.3
掲載ページ
p.1162~1166
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資料詳細

要約等:

Highly-efficient RF thin-film silicon-on-insulator (SOI) power metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) were fabricated by a 0.4-<...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Satoshi Matsumoto
Yasushi Hiraoka
Tatsuo Sakai
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
40(3A) (通号 535) 2001.3
掲載巻
40
掲載号
3A
掲載通号
535
掲載ページ
1162~1166