A Highly-Efficient Tungsten-Polycide Gate Radio-Frequency Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Using Bonded Silicon-on-Insulator Technology

• 資料種別: 記事
• タイトル: A Highly-Efficient Tungsten-Polycide Gate Radio-Frequency Power Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Using Bonded Silicon-on-Insulator Technology
• 著者・編者: Satoshi Matsumoto; Yasushi Hiraoka; Tatsuo Sakai
• 著者標目: Satoshi Matsumoto; Yasushi Hiraoka; Tatsuo Sakai
• タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
• 巻号年月日等（掲載誌）: 40(3A) (通号 535) 2001.3
• 掲載巻: 40
• 掲載号: 3A
• 掲載通号: 535
• 掲載ページ: 1162～1166
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2001-03
• ISSN（掲載誌）: 0021-4922
• ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
• 出版事項（掲載誌）: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: SOI; Power MOSFET; RF power amplifier; Power-added efficiency
• NDLC: ZM35
• 対象利用者: 一般
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z53-A375
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226604; https://dl.ndl.go.jp/pid/11226604
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5714435; http://id.ndl.go.jp/bib/5714435
• 整理区分コード: 632

• 要約等: Highly-efficient RF thin-film silicon-on-insulator (SOI) power metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) were fabricated by a 0.4-<...