触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製

• 資料種別: 記事
• タイトル: 触媒CVD法による高移動度poly-Si TFTの作製
• 著者・編者: 河西 弘人; 久須本 典煕; 山中 英雄 他
• シリーズタイトル: 低温ポリSi TFTと有機EL技術
• 著者標目: 河西 弘人; 久須本 典煕; 山中 英雄
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 101(14) 2001.4.19
• 掲載巻: 101
• 掲載号: 14
• 掲載ページ: 19～25
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2001-04-19
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: ポリシリコン; アモルファスシリコン; 薄膜トランジスタ; 不純物; 酸素; polycrystalline silicon; amorphous silicon; thin film transistor; contamination; oxygen
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2001-4
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5775320; http://id.ndl.go.jp/bib/5775320
• 整理区分コード: 632