エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製

• 資料種別: 記事
• タイトル: エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
• 著者・編者: 浅野 浩司; 中村 篤志; Madan Niraula 他
• 著者標目: 浅野 浩司; 中村 篤志; Madan Niraula
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 101(80) 2001.5.24
• 掲載巻: 101
• 掲載号: 80
• 掲載ページ: 1～6
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2001-05-24
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: CdTe; エキシマレーザードーピング; 高エネルギー放射線; 室温動作; Cadmium Telluride; Excimer laser doping; High energy flux; Room temperature
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: CPM2001-1
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5801211; http://id.ndl.go.jp/bib/5801211
• 整理区分コード: 632