Physical Simulation of Threshold Voltage Effect on Intermodulation Distortion in GaAs MESFET

• 資料種別: 記事
• タイトル: Physical Simulation of Threshold Voltage Effect on Intermodulation Distortion in GaAs MESFET
• 著者・編者: Walter Contrata; 安藤 裕二; 松永 高治 他
• 著者標目: Walter Contrata; 安藤 裕二; 松永 高治
• 並列タイトル等: GaAs MESFETにおける閾値電圧と歪の関係の物理シミュレーション
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 101(294) 2001.9.13
• 掲載巻: 101
• 掲載号: 294
• 掲載ページ: 9～16
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2001-09-13
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: デバイスモデル; 回路モデル; マイクロ波; device simulation; circuit simulation; microwave; distortion
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2001-107
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 5942784; http://id.ndl.go.jp/bib/5942784
• 整理区分コード: 632