薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET

• 資料種別: 記事
• タイトル: 薄層化サファイア基板上の110W出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET
• 著者・編者: 安藤 裕二; 岡本 康宏; 宮本 広信 他
• 著者標目: 安藤 裕二; 岡本 康宏; 宮本 広信
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 101(549) 2002.1.16
• 掲載巻: 101
• 掲載号: 549
• 掲載ページ: 7～12
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2002-01-16
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: Sapphire
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2001-185
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6072941; http://id.ndl.go.jp/bib/6072941
• 整理区分コード: 632