Ultra Shallow Junction Formation with High Process Controllability Using Optimized Rapid Thermal Anneal Process

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Ultra Shallow Junction Formation with High Process Controllability Using Optimized Rapid Thermal Anneal Process

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6085533
資料種別
記事
著者
Tomoko Matsudaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2002-02
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 41(2A) (通号 551) 2002.2
掲載ページ
p.451~457
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資料詳細

要約等:

Implant and rapid thermal annealing (RTA) are investigated for a source/drain (S/D) formation process. Optimization of RTA conditions is the key for u...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Tomoko Matsuda
Seiichi Shishiguchi
Hiroshi Kitajima
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
41(2A) (通号 551) 2002.2
掲載巻
41
掲載号
2A
掲載通号
551
掲載ページ
451~457