Fluoride Resonant Tunneling Diodes Co-integrated with Si-MOSFETs (Special Issue Solid State Devices & Materials)

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Fluoride Resonant Tunneling Diodes Co-integrated with Si-MOSFETs(Special Issue Solid State Devices & Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6157011
資料種別
記事
著者
Toshiaki Terayamaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2002-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 41(4B) (通号 556) (Special Issue) 2002.4
掲載ページ
p.2598~2601
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資料詳細

要約等:

Resonant tunneling diodes (RTDs) composed of heteroepitaxial CaF<FONT SIZE="-1"><SUB>2</SUB></FONT>/CdF<FONT SIZE="-1"><SUB>2</SUB></FONT>/CaF<FONT SI...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Toshiaki Terayama
Hiroshi Sekine
Kazuo Tsutsui
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
41(4B) (通号 556) (Special Issue) 2002.4
掲載巻
41
掲載号
4B
掲載通号
556