InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価 (小特集 3族窒化物研究の最前線)

記事を表すアイコン

InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価

(小特集 3族窒化物研究の最前線)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
6188252
資料種別
記事
著者
大賀 涼ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2002-05-24
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102(77) 2002.5.24
掲載ページ
p.25~30
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
大賀 涼
李 祐植
藤原 康文 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
102(77) 2002.5.24
掲載巻
102
掲載号
77
掲載ページ
25~30