遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性 (小特集テーマ 進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性

(小特集テーマ 進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
6221467
資料種別
記事
著者
周 逸凱ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2002-06-14
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102(118) 2002.6.14
掲載ページ
p.1~4
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
周 逸凱
橋本 政彦
金村 雅仁 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
102(118) 2002.6.14
掲載巻
102
掲載号
118
掲載ページ
1~4