遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性

• 資料種別: 記事
• タイトル: 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性
• 著者・編者: 周 逸凱; 橋本 政彦; 金村 雅仁 他
• シリーズタイトル: 小特集テーマ:進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般
• 著者標目: 周 逸凱; 橋本 政彦; 金村 雅仁
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 102(115) 2002.6.14
• 掲載巻: 102
• 掲載号: 115
• 掲載ページ: 1～4
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2002-06-14
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 希薄磁性半導体; GaNベースの磁性半導体; GaMnN; GaCrN; 強磁性体; MBE; Diluted magnetic semiconductor; GaN-based semiconductor
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2002-73
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6221686; http://id.ndl.go.jp/bib/6221686
• 整理区分コード: 632