招待論文 GaN基板結晶成長技術の最近の進展

• 資料種別: 記事
• タイトル: 招待論文 GaN基板結晶成長技術の最近の進展
• 著者・編者: 碓井 彰; 砂川 晴夫; 山口 敦史 他
• シリーズタイトル: 小特集テーマ:進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状
• 著者標目: 碓井 彰; 砂川 晴夫; 山口 敦史
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 102(114) 2002.6.13
• 掲載巻: 102
• 掲載号: 114
• 掲載ページ: 1～4
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2002-06-13
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 融液成長; 気相成長; 転位; 自立基板; GaN substrate; crystal growth; solution growth; vapor phase epitaxy; dislocation; freestanding substrate
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2002-44
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6221710; http://id.ndl.go.jp/bib/6221710
• 整理区分コード: 632