金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出 (小特集テーマ 進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出

(小特集テーマ 進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
6221921
資料種別
記事
著者
山中 隆幸ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2002-06-15
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 102(116) 2002.6.15
掲載ページ
p.5~8
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
山中 隆幸
反保 衆志
橋本 政彦 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
102(116) 2002.6.15
掲載巻
102
掲載号
116
掲載ページ
5~8