GaN薄膜のアンモニアMBE成長におけるインジェクターの加熱効果

• 資料種別: 記事
• タイトル: GaN薄膜のアンモニアMBE成長におけるインジェクターの加熱効果
• 著者・編者: 柴田 知己; 金 聖祐; 赤津 政宏 他
• シリーズタイトル: 小特集テーマ:進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状
• 著者標目: 柴田 知己; 金 聖祐; 赤津 政宏
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 102(114) 2002.6.13
• 掲載巻: 102
• 掲載号: 114
• 掲載ページ: 53～56
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2002-06-13
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: アンモニア-MBE; GaAs基板; GaNAsバッファ; ammonia-MBE; GaN thin films; GaAs substrate; GaNAs buffer; ammonia injector
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2002-57
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6221942; http://id.ndl.go.jp/bib/6221942
• 整理区分コード: 632