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雑誌電子情報通信学会論文誌 C エレクトロニクス
巻号85(8) (通号 416)-85(12) (通号 420) 20020800-20021200
記事シリコン薄膜の振幅・...

シリコン薄膜の振幅・位相制御エキシマレーザ溶融再結晶化法--新しい2-D位置制御大結晶粒形成法 (低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)

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シリコン薄膜の振幅・位相制御エキシマレーザ溶融再結晶化法--新しい2-D位置制御大結晶粒形成法

(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)

国立国会図書館請求記号
Z16-607
国立国会図書館書誌ID
6244776
資料種別
記事
著者
井上 弘毅ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ
出版年
2002-08
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編 85(8) (通号 416) 2002.8
掲載ページ
p.624～629
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紙

資料種別
記事
タイトル
シリコン薄膜の振幅・位相制御エキシマレーザ溶融再結晶化法--新しい2-D位置制御大結晶粒形成法
著者・編者
井上 弘毅
中田 充
松村 正清 他
シリーズタイトル
低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集
著者標目
井上 弘毅
中田 充
松村 正清
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス = The IEICE transactions on electronics. C / 電子情報通信学会 編
巻号年月日等（掲載誌）
85(8) (通号 416) 2002.8
掲載巻
85
掲載号
8
掲載通号
416