Invited FEOL Process for Sub-100nm DRAM

• 資料種別: 記事
• タイトル: Invited FEOL Process for Sub-100nm DRAM
• 著者・編者: Gyoyoung Jin; Siyoung Choi; Jinhwa Heo
• シリーズタイトル: AWAD2002(Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)
• 著者標目: Gyoyoung Jin; Siyoung Choi; Jinhwa Heo
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 102(178) 2002.7.1
• 掲載巻: 102
• 掲載号: 178
• 掲載ページ: 1～4
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2002-07-01
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: shallow trench isolation; tungsten gate; cobalt silicide
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2002-66
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6266718; http://id.ndl.go.jp/bib/6266718
• 整理区分コード: 632