TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計

• 資料種別: 記事
• タイトル: TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計
• 著者・編者: 三浦 規之; 小松原 弘毅; 望月 麻理恵 他
• シリーズタイトル: 特集:プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般
• 著者標目: 三浦 規之; 小松原 弘毅; 望月 麻理恵
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 102(344) 2002.9.30
• 掲載巻: 102
• 掲載号: 344
• 掲載ページ: 19～24
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2002-09-30
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 寄生チャネルリーク; 寄生抵抗; 基板浮遊効果; 低消費電力; Fully-depleted SOI; Parasitic channel leakage; Parasitic resistance; Floating-body effect; Low power
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: VLD2002-66
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6330477; http://id.ndl.go.jp/bib/6330477
• 整理区分コード: 632