Dislocation Reduction in GaN Epilayers Grown on a GaNP Buffer on Sapphire Substrate by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
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CiNii Research
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- Hongdong LiMasashi TsukiharaYoshiki Naoi 他
- タイトル（掲載誌）
- Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 41(11B) (通号 378) 2002.11.15
- 掲載巻
- 41
- 掲載号
- 11B
- 掲載通号
- 378
- 掲載ページ
- L1332～1335