Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Silicon and Silicon-on-Insulator

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Applicability of Phosphorus and Boron Diffusion Parameters Extracted from Predeposition to Drive-in Diffusion for Bulk Silicon and Silicon-on-Insulator

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6507633
資料種別
記事
著者
Eisuke Araiほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2003-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 42(4A) (通号 573) 2003.4
掲載ページ
p.1503~1510
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資料詳細

要約等:

Predeposition profiles of phosphorus (P) and boron (B) in bulk Si were measured and diffusion parameters used to simulate the profiles were extracted ...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Eisuke Arai
Daisuke Iida
Hiroshi Asai 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
42(4A) (通号 573) 2003.4
掲載巻
42
掲載号
4A
掲載通号
573
掲載ページ
1503~1510