液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用

• 資料種別: 記事
• タイトル: 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用
• 著者・編者: 李 祐植; 大賀 涼; 吉田 義浩 他
• 著者標目: 李 祐植; 大賀 涼; 吉田 義浩
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 103(51) 2003.5.16
• 掲載巻: 103
• 掲載号: 51
• 掲載ページ: 13～18
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2003-05-16
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 液滴ヘテロエピタキシー; Droplet epitaxy; InAs quantum dot
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2003-35
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6618126; http://id.ndl.go.jp/bib/6618126
• 整理区分コード: 632