極性制御によるBeドープp型GaNの成長

• 資料種別: 記事
• タイトル: 極性制御によるBeドープp型GaNの成長
• 著者・編者: 杉田 茂宣; 渡 也寸雅; 吉澤 銀河 他
• 著者標目: 杉田 茂宣; 渡 也寸雅; 吉澤 銀河
• タイトル（掲載誌）: 表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
• 巻号年月日等（掲載誌）: 24(9) 2003.9
• 掲載巻: 24
• 掲載号: 9
• 掲載ページ: 538～542
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2003-09
• ISSN（掲載誌）: 0388-5321
• ISSN-L（掲載誌）: 0388-5321
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本表面科学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZM35
• 対象利用者: 一般
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z15-379
• 関連情報（URI）: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/8327400
• 関連情報（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/8327400; http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/8327400
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6685202; http://id.ndl.go.jp/bib/6685202
• 整理区分コード: 632

• 要約等: We have successfully grown Be-doped p-type GaN on an Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>(0001) substrate by RF-MBE by conserving the surface polarity during g...