ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性

• 資料種別: 記事
• タイトル: ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
• 著者・編者: 山路 浩規; 寺田 雄祐; 吉田 治正 他
• 著者標目: 山路 浩規; 寺田 雄祐; 吉田 治正
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 103(341) 2003.10.2
• 掲載巻: 103
• 掲載号: 341
• 掲載ページ: 1～5
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2003-10-02
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 反応性イオンエッチング; ナノ針状構造; 反射率; 透過率; RIE; nanotip structure; antireflection; reflectance; transmittance
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: ED2003-132
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6766296; http://id.ndl.go.jp/bib/6766296
• 整理区分コード: 632