100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価
• 著者・編者: 三好 実人; 坂井 正宏; Subramaniam Arulkumaran 他
• 著者標目: 三好 実人; 坂井 正宏; Subramaniam Arulkumaran
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 103(561) 2004.1.19
• 掲載巻: 103
• 掲載号: 561
• 掲載ページ: 41～45
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-01-19
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: AlXGa1-XN/GaN HEMT; 高Al組成AlXGa1-XN; high-Al-content AlXGa1-XN; 100-mm-diameter sapphire substrates
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: MW2003-228
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6862004; http://id.ndl.go.jp/bib/6862004
• 整理区分コード: 632