二酸化シリコン薄膜(SiO2)の電子線照射損傷を定量的に評価する(特集:表面分析時における不可避な損傷の評価)

• 資料種別: 記事
• タイトル: 二酸化シリコン薄膜(SiO2)の電子線照射損傷を定量的に評価する
• 著者・編者: 木村 隆; 西田 憲二; 田沼 繁夫 他
• シリーズタイトル: 特集:表面分析時における不可避な損傷の評価
• 著者標目: 木村 隆; 西田 憲二; 田沼 繁夫
• タイトル（掲載誌）: 表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
• 巻号年月日等（掲載誌）: 25(4) 2004.4
• 掲載巻: 25
• 掲載号: 4
• 掲載ページ: 212～216
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-04
• ISSN（掲載誌）: 0388-5321
• ISSN-L（掲載誌）: 0388-5321
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 日本表面科学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZM35
• 対象利用者: 一般
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会; https://dl.ndl.go.jp/collections/B00043
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 遠隔複写可否（NDL）: 不可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z15-379
• 関連情報（URI）: http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/8327486
• 関連情報（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/8327486; http://dl.ndl.go.jp/info:ndljp/pid/8327486
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6919670; http://id.ndl.go.jp/bib/6919670
• 整理区分コード: 632

• 要約等: In order to determine the extent of electron irradiation damage on silicon dioxide quantitatively, a simple method of measuring the decomposition cros...