Ni-Salicided Poly-Si/poly-SiGe-Layered Gate Technology for 65-nm-node CMOSFETs(Special Issue: Solid State Devices and Materials)

• 資料種別: 記事
• タイトル: Ni-Salicided Poly-Si/poly-SiGe-Layered Gate Technology for 65-nm-node CMOSFETs
• 著者・編者: Akiyoshi Muto; Hiroshi Ohji; Takeshi Maeda 他
• シリーズタイトル: Special Issue: Solid State Devices and Materials
• 著者標目: Akiyoshi Muto; Hiroshi Ohji; Takeshi Maeda
• タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
• 巻号年月日等（掲載誌）: 43(4B) (通号 591) (Special Issue) 2004.4
• 掲載巻: 43
• 掲載号: 4B
• 掲載通号: 591
• その他巻次: Special Issue
• 掲載ページ: 1773～1777
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2004-04
• ISSN（掲載誌）: 0021-4922
• ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
• 出版事項（掲載誌）: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: eng
• 件名標目: poly-SiGe; Ni silicidation; gate depletion; suppression of void formation; boron activation; improvement of FET performance
• NDLC: ZM35
• 対象利用者: 一般
• コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌; https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
• オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
• デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
• 遠隔複写可否（NDL）: 可
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z53-A375
• 掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226662; https://dl.ndl.go.jp/pid/11226662
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 6938494; http://id.ndl.go.jp/bib/6938494
• 整理区分コード: 632

• 要約等: A poly-Si/poly-SiGe-layered gate electrode with a high Ge content that is suitable for Ni silicidation has been examined. The optimum Ge content for s...